[实用新型]芯片内护城河结构

摘要

本实用新型提供一种芯片内护城河结构，该结构包括基板、扩散阻挡层、介电层、金属互连结构、钝化保护层、护城河凹槽结构及表面保护层，其中，护城河凹槽结构形成于芯片周边区域包括至少两个分立设置的槽环，槽环往下延伸至介电层中但未贯穿所述扩散阻挡层，表面保护层自下而上依次包括共形层及填充层，共形层还形成于槽环的侧壁和底部，填充层还填入槽环。本实用新型在芯片周边区域布置槽环，槽环环绕芯片主体区域，且槽环中填充有共形层及填充层，可以有效吸收或缓冲晶圆切割应力，从而阻断晶圆切割应力往芯片主体区域传递，并减少金属材料的使用，同时增加结构的稳定性。

主权项

1.一种芯片内护城河结构，其特征在于，包括：基板，所述基板上定义有芯片主体区域及环绕所述芯片主体区域的芯片周边区域；扩散阻挡层，位于所述基板表面，所述基板内埋设有护城河环结构，位于所述芯片周边区域中且遮盖在所述扩散阻挡层之下；介电层，位于所述扩散阻挡层表面；金属互连结构，位于所述介电层中，所述金属互连结构的导电金属层位于所述芯片主体区域中；钝化保护层，位于所述介电层表面；护城河凹槽结构，形成于所述芯片周边区域并且对准于所述护城河环结构，所述护城河凹槽结构包括至少两个分立设置的槽环，所述槽环往下延伸至所述介电层中，但未贯穿所述扩散阻挡层；表面保护层，位于所述钝化保护层上，所述表面保护层自下而上依次包括共形层及填充层，所述共形层还形成于所述槽环的侧壁和底部，所述填充层还填入所述槽环。