[实用新型]硅穿孔裂纹检测单元有效
| 申请号： | 201821718798.3 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208835021U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及集成电路技术领域，提出一种硅穿孔裂纹检测单元及检测方法、半导体装置的制作方法。该硅穿孔裂纹检测单元包括模拟硅穿孔、导电衬垫、第二介电衬垫、第一触点、第二触点。模拟硅穿孔设置于一半导体衬底中，包括导电通道和隔离在导电通道和半导体衬底之间的第一介电衬垫；导电衬垫围绕第一介电衬垫设置；第二介电衬垫围绕导电衬垫设置；第一触点连接于导电通道；第二触点连接于导电衬垫，利用第一触点与第二触点之间配置的一电压差检测第一触点与第二触点之间的导通状态预测模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔是否出现裂纹。本公开提供的硅穿孔裂纹检测单元可以检测模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔是否出现裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 硅穿孔 触点 裂纹检测单元 导电衬垫 介电 导电通道 触点连接 衬底 半导体 集成电路技术 半导体装置 电压差检测 导通状态 配置的 检测 隔离 预测 制作 | ||
【主权项】：
1.一种硅穿孔裂纹检测单元，其特征在于，包括：模拟硅穿孔，设置于一半导体衬底中，所述模拟硅穿孔包括导电通道和隔离在所述导电通道和所述半导体衬底之间的第一介电衬垫；导电衬垫，设置于所述半导体衬底中且围绕所述第一介电衬垫设置；第二介电衬垫，设置于所述半导体衬底中且围绕所述导电衬垫设置；第一触点，电连接于所述导电通道；及第二触点，电连接于所述导电衬垫，其中，所述第一触点和所述第二触点用于根据所述第一触点与所述第二触点之间的导通状态预测所述模拟硅穿孔所在位置范围内的硅穿孔是否出现裂纹。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
