[实用新型]一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置有效
| 申请号： | 201821729265.5 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN209150054U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田杰成;陈益民 | 申请（专利权）人： | 湖南艾科威智能装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 长沙心智力知识产权代理事务所(普通合伙) 43233 | 代理人： | 谢如意 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市雨花*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置，包括石英炉门和连接着石英炉门用于硅片氧化的石英管，位于所述石英管管口位置分别设有石英管测压口和补气进气口，所述石英管测压口和补气进气口之间连接有进量控制系统；所述进量控制系统包括压力控制仪和流量控制阀，所述石英管测压口实时监测氧化炉反应中石英管管口的压力，并通过所述压力控制仪结合流量控制阀对所述补气进气口补气进气量进行实时控制，本实用新型可以实现氧化炉反应管口的压力稳定，可提升氧化炉反应管特别是反应管口位置的氧化膜厚均匀性，同时具有易实现、操作简便等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化炉 石英管 进气口 补气 氧化膜厚 反应管 均匀性 硅片 本实用新型 流量控制阀 压力控制仪 石英炉门 测压口 口位置 量控制 炉口 石英 实时控制 压力稳定 进气量 测压 监测 | ||
【主权项】：
1.一种可提升氧化炉炉口硅片氧化膜厚均匀性的装置，包括石英炉门(1)和连接着石英炉门(1)用于硅片氧化的石英管(2)，其特征在于：位于所述石英管(2)管口位置分别设有石英管测压口(4)和补气进气口(5)，所述石英管测压口(4)和补气进气口(5)之间连接有进量控制系统(6)；所述进量控制系统(6)包括压力控制仪(7)和流量控制阀(8)，所述石英管测压口(4)实时监测氧化炉反应中石英管(2)管口的压力，并通过所述压力控制仪(7)结合流量控制阀(8)对所述补气进气口(5)补气进气量进行实时控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
