[实用新型]一种室温下工作的GaN核辐射探测器

摘要

本实用新型公开一种室温下工作的GaN核辐射探测器，该探测器包括本征GaN衬底、SiO₂钝化层、正面肖特基金属电极、等电位隔离环、背面欧姆金属电极；本征GaN衬底表面设有SiO₂钝化层和正面肖特基金属电极，SiO₂钝化层在本征GaN衬底表面的外缘，正面肖特基金属电极分为内圆和圆环，内圆和圆环之间是等电位隔离环，GaN衬底背面设有背面欧姆金属电极。本实用新型专利的优点在于：该探测器是将高电阻率和肖特基的双重特性结合在一起，即实现了大的耗尽区宽度又具有一定的势垒高度；利用SiO₂作为钝化层和等电位隔离环，降低了器件的漏电流，提高探测器的性能。

主权项

1.一种室温下工作的GaN核辐射探测器，其特征在于：该探测器包括本征GaN衬底（1）、SiO₂钝化层（2）、正面肖特基金属电极（3）、背面欧姆金属电极（4）、等电位隔离环（5）；本征GaN衬底（1）表面设有SiO₂钝化层（2）、正面肖特基金属电极（3）和等电位隔离环（5），SiO₂钝化层（2）在本征GaN衬底（1）表面的外缘，正面肖特基金属电极（3）分为内圆和圆环，内圆和圆环之间是等电位隔离环（5），GaN衬底（1）背面设有背面欧姆金属电极（4）。