[实用新型]雪崩二极管和二极管有效
| 申请号： | 201821736610.8 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN209169161U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | L·斯塔克 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(R&D)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 英国白*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种雪崩二极管和二极管，该雪崩二极管包括：层，所述层具有第一导电类型；第一区，所述第一区在所述层中，所述第一区具有第二导电类型，并且所述层和所述第一区形成PN结；耗尽结构，所述耗尽结构在所述层中并且邻近所述PN结，所述耗尽结构被配置为在所述层中形成耗尽区，所述耗尽结构包括在所述层中的多个第二区，所述多个第二区具有所述第二导电类型，所述第一区位于所述多个第二区上；以及电极，所述电极被配置为使所述PN结极化。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区 耗尽 雪崩二极管 二极管 导电类型 电极 第一导电类型 本实用新型 极化 耗尽区 配置 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩二极管，其特征在于，所述雪崩二极管包括：层，所述层具有第一导电类型；第一区，所述第一区在所述层中，所述第一区具有第二导电类型，并且所述层和所述第一区形成PN结；耗尽结构，所述耗尽结构在所述层中并且邻近所述PN结，所述耗尽结构被配置为在所述层中形成耗尽区，所述耗尽结构包括在所述层中的多个第二区，所述多个第二区具有所述第二导电类型，所述第一区位于所述多个第二区上；以及电极，所述电极被配置为使所述PN结极化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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