[实用新型]半导体前段设备模组的排气装置有效
| 申请号： | 201821736900.2 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN208806234U | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体前段设备模组的排气装置，包括：集气箱，设置于废气源的下方，集气箱的顶部设置有开口面，集气箱的内部经由开口面与废气源相连通，其中所述废气源包含半导体前段设备模组；排气管路，设置于集气箱底部或侧面，且所述排气管路的一端与集气箱内部相连通。本实用新型提供了一种半导体前段设备模组的排气装置，通过引入设置于半导体前段设备模组下方的集气箱，并将废气从排气管路排出，避免了因有毒废气泄露而对周边环境造成的危害；此外，还在半导体前段设备模组内产生垂直向下的气流，减少了半导体前段设备模组内因涡流产生的颗粒污染，提高了晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 设备模组 集气箱 半导体 排气管路 排气装置 废气源 本实用新型 开口面 废气 垂直向下 顶部设置 颗粒污染 涡流产生 周边环境 晶圆 良率 排出 泄露 侧面 引入 | ||
【主权项】：
1.一种半导体前段设备模组的排气装置，其特征在于，包括：集气箱，设置于废气源的下方，所述集气箱的顶部设置有开口面，所述集气箱的内部经由所述开口面与所述废气源相连通，其中所述废气源包含半导体前段设备模组；及排气管路，所述排气管路的一端与所述集气箱内部相连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821736900.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
