[实用新型]基于一种控制表面电场的硅漂移探测器有效
申请号: | 201821749576.8 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN209016068U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 李正;匡凤兰 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/115 |
代理公司: | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人: | 周跃仁 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于一种控制表面电场的硅漂移探测器,包括依次连接的前表面电极、圆柱形n型硅主体和后表面电极;前表面电极包括内部依次嵌套有封闭阴极圆形起点环、内封闭阴极保护环和n+型圆形阳极的第一p+型圆形螺旋阴极环;第一p+型圆形螺旋阴极环最后一环外依次套接有第一封闭阴极圆形终点环和第一外封闭阴极保护环;封闭阴极圆形起点环、内封闭阴极保护环、第一封闭阴极圆形终点环、第一外封闭阴极保护环和第一p+型圆形螺旋阴极环每环的宽度相等;后表面电极包括内嵌与其第一环相接的圆形阴极的第二p+型圆形螺旋阴极环,第二p+型圆形螺旋阴极环最后一环外依次套接有第二封闭阴极圆形终点环和第二外封闭阴极保护环。 | ||
搜索关键词: | 阴极 阴极保护 圆形螺旋 封闭 阴极环 硅漂移探测器 后表面电极 前表面电极 电场 控制表面 内封闭 起点环 套接 嵌套 本实用新型 宽度相等 依次连接 圆形阳极 圆形阴极 内嵌 | ||
【主权项】:
1.基于一种控制表面电场的硅漂移探测器,其特征在于,包括前表面电极(1),前表面电极(1)与圆柱形的n型硅主体(2)的一个底面相接;n型硅主体(2)的另一个底面与后表面电极(3)相接;所述前表面电极(1)包括第一p+型圆形螺旋阴极环(1‑1),第一p+型圆形螺旋阴极环(1‑1)内嵌套有n+型圆形阳极(1‑2);所述后表面电极(3)包括第二p+型圆形螺旋阴极环(3‑1),第二p+型圆形螺旋阴极环(3‑1)内嵌有与其第一环相接的圆形阴极(3‑2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的