[实用新型]一种新型VDMOS元胞有效
| 申请号： | 201821757604.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN209929314U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 林美玉 | 申请（专利权）人： | 广州市力驰微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州高新技术产*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及微电子技术领域，尤其是一种新型VDMOS元胞；它包括P+区域，所述P+区域预留N+过道；因为引入的N+预留通道，使得弱化了对Cont到Poly距离的要求，因此对于同时更改N+跟Cont版图的设计可以提升产品良率，降低制作难度；对于不改Cont版图，只用本专利的新型N+版图，可以提升N+的接触面积，降低源极Source的接触电阻，进而降低VDMOS的导通电阻，降低整机应用的功耗；实施简单，无特殊新增工步要求。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子技术领域 本实用新型 产品良率 导通电阻 接触电阻 区域预留 预留通道 工步 功耗 源极 整机 过道 弱化 引入 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种新型VDMOS元胞，其特征在于：它包括栅极氧化层、介质层、多晶、pbody沟道区、P+区域、N+区域、cont和金属层，所述P+区域内预留有N+通道，N+通道注入N+。/n
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