[实用新型]一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片有效
| 申请号： | 201821757869.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN208847859U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 石东海;王庆康 | 申请（专利权）人： | 北京科易达知识产权服务有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 陈宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片，在高阻硅基片上设有一层高低错落分布栅状结构的紫外胶薄膜；紫外胶薄膜的上表面复合有金属薄膜。采用高阻硅基片克服了现有太赫兹偏振片在支撑结构上的缺陷，使得太赫兹偏振片从需要框架支撑的太赫兹偏振薄膜，发展成为具有很强结构稳定性和可靠性的太赫兹偏振芯片。本实用新型采用标准紫外纳米压印工艺和微机械电子系统（MEMS）工艺制备，制备工艺成熟、可靠，能够用于本实用新型提出的高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片的规模化制造。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻 偏振 本实用新型 硅基双 金属栅 芯片 硅基片 偏振片 紫外胶 薄膜 微机械电子系统 紫外纳米压印 高低错落 工艺制备 金属薄膜 框架支撑 偏振薄膜 栅状结构 支撑结构 制备工艺 规模化 强结构 上表面 复合 成熟 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片，其特征在于：由高阻硅基片和栅状结构紫外压印胶薄膜及金属薄膜构成层状结构；其中，在高阻硅基片上有一层高低错落分布栅状结构的紫外压印胶薄膜；紫外压印胶薄膜的上表面覆盖有金属薄膜。
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