[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821771589.5 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN209169147U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件，其中该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括导电沟道；第一掺杂区，位于所述导电沟道的第一侧；第二掺杂区，位于所述导电沟道的第二侧；轻掺杂区，位于所述第一掺杂区和所述导电沟道以及所述第二掺杂区和所述导电沟道之间，且所述轻掺杂区中掺杂离子的浓度随着所述导电沟道的深度的变化而变化。本公开通过对加工工艺进行改进，形成离子浓度渐变的轻掺杂区，同时使得导电沟道的长度随着所述导电沟道的深度的增加而变长，以此来降低半导体器件发生结面崩溃的风险，抑制热载流子效应，降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 导电沟道 半导体器件 掺杂区 轻掺杂区 衬底 半导体 热载流子效应 掺杂离子 漏电流 渐变 离子 崩溃 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括导电沟道；第一掺杂区，位于所述导电沟道的第一侧；第二掺杂区，位于所述导电沟道的第二侧；轻掺杂区，位于所述第一掺杂区和所述导电沟道以及所述第二掺杂区和所述导电沟道之间，且所述轻掺杂区中掺杂离子的浓度和分布区域随着所述导电沟道的深度的变化而变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821771589.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置
- 下一篇：一种防护效果好的单晶硅片
- 同类专利
- 专利分类
