[实用新型]一种镀膜设备沉积腔室和一种镀膜设备

摘要

本实用新型公开一种镀膜设备沉积腔室和镀膜设备，沿第一预设方向，在底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在底板上设置非金属蒸发源的排数为Q排；位于Q排的首端的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于Q排的末端的M‑P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；第一组非金属蒸发源中各排首端非金属蒸发源中心点的连线与末端非金属蒸发源的中心店的连线平行；第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离。本方案，可形成的大小合适、厚度均匀且性能良好的CIGS膜，从而使得形成的太阳能电池具有较高的发电效率，有效满足用电需求。

主权项

1.一种镀膜设备沉积腔室，在所述沉积腔室的底板上设置有金属蒸发源和非金属蒸发源，其特征在于，沿第一预设方向，在所述底板上设置的每排非金属蒸发源的个数为M个；在所述沉积腔室的底板上设置的非金属蒸发源的排数为Q排；位于所述Q排的首端的P个非金属蒸发源构成第一组非金属蒸发源，位于所述Q排的末端的M‑P个非金属蒸发源构成第二组非金属蒸发源；所述第一组非金属蒸发源中各排首端非金属蒸发源的中心点的连线与末端非金属蒸发源的中心店的连线平行设置；所述第二组非金属蒸发源中至少有一排非金属蒸发源的首端、末端相对于首排非金属蒸发源的首端、末端沿第一预设方向错位预设距离；其中，M为大于等于8小于等于15的整数，Q为大于等于3小于等于6的整数，P为大于等于1小于等于M‑1的整数。