[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的装置有效
| 申请号： | 201821809418.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144310U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁晓亮;宁秀秀;高超;李霞;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种用于碳化硅单晶生长的装置，包括：外坩埚，在外坩埚外设置保温加热装置，所述外坩埚分为放置原料的原料部和供原料升华结晶的气体流通区域；所述外坩埚中设置若干小坩埚，所述小坩埚设在原料部，所述小坩埚与外坩埚的内壁隔离设置；所述小坩埚包括容器本体和容器盖；所述小坩埚设置在原料部的底部中间区域或靠近外坩埚侧壁的区域。本申请可以有效的调节在碳化硅单晶生长中外坩埚中的Si/C比例，从而减少单晶生长产生的碳包裹体缺陷；本申请可以有效地调节原料区的温度场分布，减少原料的碳化。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 小坩埚 碳化硅单晶 生长 申请 保温加热装置 温度场分布 单晶生长 隔离设置 气体流通 容器本体 中间区域 坩埚侧壁 容器盖 碳包裹 体缺陷 有效地 原料区 内壁 碳化 升华 | ||
【主权项】：
1.一种用于碳化硅单晶生长的装置，其特征在于，包括：外坩埚，在外坩埚外设置保温加热装置，所述外坩埚分为放置原料的原料部和供原料升华结晶的气体流通区域；所述外坩埚中设置若干小坩埚，所述小坩埚设在原料部，所述小坩埚与外坩埚的内壁隔离设置；所述小坩埚包括容器本体和容器盖；所述小坩埚设置在原料部的底部中间区域或靠近外坩埚侧壁的区域。
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