[实用新型]一种碳化硅单晶生长用双层坩埚有效
| 申请号： | 201821809471.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144312U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁晓亮;高超;宁秀秀;李霞;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，包括外坩埚，所述外坩埚用于产生及辐射热量；内坩埚，所述内坩埚设在外坩埚的腔室内，在内坩埚上设有一坩埚盖，坩埚盖的最高点低于外坩埚侧壁的最高点；所述内坩埚的壁分为卡装部和传热部，所述卡装部设在内坩埚的上部，所述卡装部与外坩埚的内壁密封相连，所述传热部与外坩埚的内壁之间设有间隙。本申请所提供的双层坩埚，将热量发生器(即外坩埚)与原料容器(即内坩埚)独立开来，且双层之间设有封闭空间，能够有效降低原料组份直接渗透至外部对保温材料造成侵蚀损坏提高使用寿命，同时提高内部温场的对称性及均匀性，从而改善晶体的边缘质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 双层坩埚 卡装部 碳化硅单晶 传热部 坩埚盖 热量发生器 保温材料 封闭空间 辐射热量 内壁密封 使用寿命 原料容器 原料组份 坩埚侧壁 生长 晶体的 均匀性 内壁 申请 温场 侵蚀 室内 外部 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶生长用双层坩埚，其特征在于，包括：外坩埚，所述外坩埚用于产生及辐射热量；内坩埚，所述内坩埚设在外坩埚的腔室内，在内坩埚上设有一坩埚盖，坩埚盖的最高点低于外坩埚侧壁的最高点；所述内坩埚的壁分为卡装部和传热部，所述卡装部设在内坩埚的上部，所述卡装部与外坩埚的内壁密封相连，所述传热部与外坩埚的内壁之间设有间隙，所述间隙相对于外界密闭设置。
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