[实用新型]一种PVT法碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201821809551.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209144311U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;刘家朋;李加林;李长进;孙元行;李宏刚;高超 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 赵长林 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括一石墨坩埚，在石墨坩埚上设有一密封相连的坩埚盖，在石墨坩埚内设有一与石墨坩埚底部内壁固连的垂直布置的第一石墨棒，在石墨坩埚内设有原料部，所述第一石墨棒伸出原料部设置，在原料部的上方设有气相部，一传动轴穿出第一石墨棒设置，并在传动轴上设有一风扇，所述风扇设在气相部内。本申请使到达上部籽晶附近的SimCn不管是在组分还是温度分布上都非常均匀；得到表面均匀且无小片多型的高质量SiC晶体；本申请增加组分从原料到籽晶表面的的驱动力，加入的风扇，能够加速晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨坩埚 石墨棒 风扇 碳化硅单晶 生长装置 传动轴 气相部 申请 垂直布置 底部内壁 加速晶体 温度分布 籽晶表面 驱动力 坩埚盖 穿出 固连 籽晶 密封 伸出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种PVT法碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：一石墨坩埚，在石墨坩埚上设有一密封相连的坩埚盖，在石墨坩埚内设有一与石墨坩埚底部内壁固连的垂直布置的第一石墨棒，在石墨坩埚内设有原料部，所述第一石墨棒伸出原料部设置，在原料部的上方设有气相部，一传动轴穿出第一石墨棒设置，并在传动轴上设有一风扇，所述风扇设在气相部内。
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