[实用新型]一种超声刻蚀装置有效
申请号: | 201821843337.9 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN209087779U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 刘鹏展;陈金燕;胡捷;胡俊辉 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种超声刻蚀装置,包括兰杰文振子、振动传递杆、探针和基板;振动传递杆的一端设置在兰杰文振子的辐射面上,另一端连接有探针;探针的下方设置有基板;探针的端部垂直于基板的平面,且与基板临界接触。该装置通过兰杰文振子对振动传递杆和探针进行励振,利用做超声振动的探针的端部产生的冲击力对基板表面的纳米材料膜进行剥离,实现对纳米材料膜的刻蚀。本实用新型可实现对样品的微纳切割、雕刻、倒角、镂铣和修边等微纳刻蚀加工,无需刻蚀液和掩模工具。本实用新型涉及到的超声刻蚀装置具有结构简单、操作方便、工序简单、低成本、高效率、绿色环保等优点。 | ||
搜索关键词: | 探针 基板 本实用新型 兰杰文振子 振动传递杆 刻蚀装置 超声 纳米材料膜 刻蚀 超声振动 临界接触 绿色环保 一端连接 一端设置 低成本 对基板 高效率 刻蚀液 倒角 修边 掩模 镂铣 冲击力 切割 雕刻 剥离 垂直 辐射 加工 | ||
【主权项】:
1.一种超声刻蚀装置,其特征在于:包括兰杰文振子(1)、振动传递杆(2)、探针(3)和基板(5);振动传递杆(2)的一端设置在兰杰文振子(1)的辐射面上,另一端连接有探针(3);探针(3)的下方设置有基板(5);探针(3)的端部垂直于基板(5)的平面,且与基板(5)临界接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造