[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 201821843834.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN208819890U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/04 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅肖特基二极管，其中所述碳化硅肖特基二极管包括：包括N型碳化硅衬底（2）、N型外延层（3）、阳极电极和阴极电极所述N型外延层（3）的外延面上设有P型阱区并形成N型阱区（5）；所述P型阱区包括第二P型阱区（6），所述第二P型阱区（6）的周围连有第一P型阱区（4），所述第一P型阱区（4）与第二P型阱区（6）电势相同。本实用新型通过第二P型阱区（6）与N型外延层（3）组成的PN二极管的开启带动了第一P型阱区（4）与N型外延层（3）组成的PN结的开启，使得器件的浪涌电流明显增加。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 碳化硅 本实用新型 半导体技术领域 浪涌电流 阳极电极 阴极电极 衬底 电势 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基二极管，所述碳化硅肖特基二极管包括N型碳化硅衬底（2）、N型外延层（3）、阳极电极（7）和阴极电极（1），其特征在于，所述N型外延层（3）的外延面（310）上形成P型阱区和N型阱区（5）；所述P型阱区包括第二P型阱区（6），所述第二P型阱区（6）的周围连有第一P型阱区（4），所述第一P型阱区（4）与第二P型阱区（6）电势相同。
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