[实用新型]一种硅光波导端面耦合器有效
| 申请号： | 201821844696.6 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN209117912U | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 方青;张志群 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅光波导端面耦合器，属于半导体光通信技术领域。该硅光波导端面耦合器，包括芯层光波导、模斑压缩光波导、衬底硅、下包层和上包层，芯层光波导包括依次连接的芯层光波导的反向锥形波导和芯层光波导的直波导，模斑压缩光波导包括依次连接的输入直波导、模斑压缩锤形波导和模斑压缩输出波导。本实用新型中的硅光波导端面耦合器解决了现有两种应用中的硅光‑光纤耦合器存在的关键问题，具有全面的优良光纤性能、高可靠性以及易于封装的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 光波导 端面耦合 硅光波导 模斑 芯层 压缩 本实用新型 依次连接 光通信技术领域 光纤耦合器 输入直波导 高可靠性 关键问题 输出波导 锥形波导 衬底硅 上包层 下包层 直波导 波导 锤形 硅光 封装 半导体 光纤 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅光波导端面耦合器，其特征在于：包括芯层光波导（1）、模斑压缩光波导（2）、衬底硅（3）、下包层（4）和上包层（5），芯层光波导（1）包括依次连接的芯层光波导的反向锥形波导（7）和芯层光波导的直波导（6），模斑压缩光波导（2）包括依次连接的输入直波导（8）、模斑压缩锤形波导（9）和模斑压缩输出波导（10），衬底硅（3）顶面上设有下包层（4），下包层（4）顶面上设有模斑压缩光波导（2），模斑压缩光波导（2）四周被上包层（5）完全覆盖，芯层光波导（1）位于模斑压缩光波导（2）内部且被斑压缩光波导（2）完全包裹，下包层（4）和上包层（5）材料折射率低于模斑压缩光波导（2）材料折射率，模斑压缩光波导（2）材料折射率低于芯层光波导（1）材料折射率，模斑压缩光波导（2）中输入直波导（8）模斑尺寸与光纤输出的光信号光纤模斑尺寸相匹配，模斑压缩光波导（2）中模斑压缩输出波导（10）光模场尺寸与芯层光波导（1）中芯层光波导的反向锥形波导（7）模场尺寸相匹配。
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