[实用新型]一种电源防反接电路有效
| 申请号： | 201821849869.3 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN208862565U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 战鹏程;安洪亮;陈兵 | 申请（专利权）人： | 福州英迪格成像技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及工业相机技术领域，尤其涉及一种电源防反接电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NPN三极管和第二NPN三极管；所述第一PMOS管的源极为电源输入端，所述第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的栅极与第一NPN三极管的集电极连接；所述第二PMOS管的源极为负载输出端，所述第二PMOS管的栅极与第二NPN三极管的集电极连接。本实用新型与传统防反接电路相比，结构简单、稳定，利用MOS管的低阻抗，降低了自身的功耗，提高了供电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 防反接电路 本实用新型 集电极连接 漏极 电源 电源输入端 负载输出端 工业相机 供电效率 低阻抗 功耗 | ||
【主权项】：
1.一种电源防反接电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NPN三极管和第二NPN三极管；所述第一PMOS管的源极为电源输入端，所述第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的栅极与第一NPN三极管的集电极连接；所述第二PMOS管的源极为负载输出端，所述第二PMOS管的栅极与第二NPN三极管的集电极连接。
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