[实用新型]一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构

摘要

本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，半导体基板包括第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极，第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接，在沟槽内设有被第一氧化层和第二氧化层一侧包裹的多晶硅栅极、位于第一氧化层外侧的半包围多晶硅栅极的半封闭式屏蔽栅，半封闭式屏蔽栅被第二氧化层包裹，第二氧化层紧贴沟槽内壁；本实用新型器件通过在多晶硅栅极外面设置有半包围的半封闭式屏蔽栅，能够有效消除器件在开启和关断时产生的横向感应电流，避免了栅极电压过冲的现象，减小了寄生电容，同时加快了开关速度，减小了开关损耗。

主权项

1.一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，包括有源区，所述有源区包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括半导体基板，在所述器件元胞单元截面方向上，所述半导体基板包括第一导电类型漂移层（3），在所述第一导电类型漂移层（3）内的上部设有第二导电类型体区（5）、沟槽（13）及位于第二导电类型体区（5）内上部的第一导电类型发射极（4），所述第二导电类型体区（5）、第一导电类型发射极（4）均与沟槽（13）一侧邻接，其特征在于，在所述沟槽（13）内设有被第一氧化层（7）和第二氧化层（11）一侧包裹的多晶硅栅极（6）、位于第一氧化层（7）外侧的半包围多晶硅栅极（6）的半封闭式屏蔽栅（10），所述半封闭式屏蔽栅（10）被第二氧化层（11）包裹，所述第二氧化层（11）紧贴沟槽（13）内壁。