[实用新型]恒温湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201821854138.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN209312722U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨抗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种恒温湿法刻蚀设备，所述恒温湿法刻蚀设备包括：刻蚀槽，用于容纳刻蚀液及待刻蚀晶圆；进液管，一端与刻蚀槽的内部相连通；加热装置，与进液管远离刻蚀槽的一端相连接，用于对经由进液管流经加热装置的刻蚀液进行加热；出液管，一端与加热装置相连接，另一端与刻蚀槽的内部相连通，用于将加热装置加热后的刻蚀液输送至刻蚀槽内。本实用新型通过引入设置于刻蚀槽外的进液管、加热装置和出液管，对刻蚀槽内的刻蚀液进行加热，避免了在槽内设置加热器而出现腐蚀、漏电等安全隐患，以及因颗粒污染物沉积和刻蚀均匀性不佳而导致的产品良率不佳。此外，本实用新型还减少了设备维护时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀槽 加热装置 进液管 刻蚀液 本实用新型 法刻 加热 出液管 流经加热装置 加热器 颗粒污染物 刻蚀均匀性 漏电 安全隐患 产品良率 设备维护 沉积 晶圆 刻蚀 腐蚀 容纳 引入 | ||
【主权项】：
1.一种恒温湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：用于容纳刻蚀液及待刻蚀晶圆的刻蚀槽；进液管，一端与所述刻蚀槽的内部相连通；用于对流入所述进液管的刻蚀液进行加热的加热装置，与所述进液管远离所述刻蚀槽的一端相连接；用于将所述加热装置加热后的刻蚀液输送至所述刻蚀槽内的出液管，一端与所述加热装置相连接，另一端与所述刻蚀槽的内部相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
