[实用新型]导电薄膜及具有该导电薄膜的电子设备有效
| 申请号： | 201821857626.4 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN209168060U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 方运;高育龙;刘立冬;洪莘 | 申请（专利权）人： | 昇印光电（昆山）股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种导电薄膜，其特征在于，其包括：第一层面，所述第一层面包括导电区和电极引线区，所述导电区和所述电极引线区之间电性绝缘；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；第二层面，所述第二层包括分别连接所述导电区和电极引线区并实现所述导电区和电极引线区电性连接的搭接部，其中所述搭接部位于所述搭接区。通过搭接部连接的导电网格和电极引线，其连接更加可靠，增加导电性能。此外，还揭示一种具有该导电薄膜的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 导电区 电极引线区 导电薄膜 搭接区 电子设备 搭接部 本实用新型 搭接部位 导电网格 导电性能 电极引线 电性绝缘 电性连接 微纳结构 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜，其特征在于，其包括：第一层面，所述第一层面包括导电区和电极引线区，所述导电区和所述电极引线区之间电性绝缘；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；第二层面，所述第二层包括分别连接所述导电区和电极引线区并实现所述导电区和电极引线区电性连接的搭接部，其中所述搭接部位于所述搭接区。
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