[实用新型]一种利用金颗粒旋涂在MoS2有效

专利信息
申请号: 201821864044.9 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN210182399U 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 任文萍;谭秋红;王前进;刘应开 申请(专利权)人: 云南师范大学
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L31/0216;H01L31/0336
代理公司: 云南凌云律师事务所 53207 代理人: 董建国
地址: 650500 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型属于光电探测器领域,具体设计一种利用金颗粒旋涂在MoS2/石墨烯异质结表面获得等离子增强的MoS2/石墨烯光电探测器,自下而上包括栅电极,铁电绝缘层,利用金颗粒旋涂在MoS2/石墨烯异质结表面获得等离子增强的MoS2/石墨烯垂直异质结,Pt源电极和Pt漏电极。本实用新型中MoS2层的强选择性光吸收产生电荷,电荷通过内置电场转移到石墨烯层,并且由于石墨烯的高载流子流动性,电荷能够进行多次循环到石墨烯层。而在MoS2/石墨烯垂直异质结上面用金颗粒旋涂可以利用表面等离子体激发产生的光场增强有效的增加局部电场强度,提高光电转化效率,增加光电流。入射光被吸收后可以被有效的转化成表面等离子体,增强入射光的吸收。
搜索关键词: 一种 利用 颗粒 mos base sub
【主权项】:
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