[实用新型]一种抗大电流冲击的LED芯片有效
| 申请号： | 201821879638.7 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN209016085U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗大电流冲击的LED芯片，包括衬底、设置在衬底上的发光结构、设置在发光结构上的透明叠层、以及第一电极和第二电极；所述透明叠层包括M层横向扩散层和M+1层透明导电层，M≧1，所述横向扩散层设置在两层透明导电层之间；所述横向扩散层的电阻小于所述透明导电层的电阻。本实用新型的LED芯片通过设置透明叠层，使得透明叠层中各层的电阻产生差异，以达到增强电流横向扩散的效果。本实用新型的LED芯片通过设置透明叠层，使得透明叠层中各层的电阻产生差异，以达到增强电流横向扩散的效果，从而提高芯片抗击大电流冲击的能力，避免元件烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 透明叠层 电阻 本实用新型 透明导电层 横向扩散 电流冲击 电流横向 发光结构 衬底 大电流冲击 扩散 第二电极 第一电极 元件烧毁 两层 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种抗大电流冲击的LED芯片，其特征在于，包括衬底、设置在衬底上的发光结构、设置在发光结构上的透明叠层、以及第一电极和第二电极；所述透明叠层包括M层横向扩散层和M+1层透明导电层，M≧1，所述横向扩散层设置在两层透明导电层之间；所述横向扩散层的电阻小于所述透明导电层的电阻。
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