[实用新型]一种压控环形振荡器、锁相环和通信设备有效

专利信息
申请号: 201821891569.1 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN208986908U 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 郭逸夫;刘敬波;胡江鸣;刘俊秀;石岭 申请(专利权)人: 深圳开阳电子股份有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03;H03L7/099
代理公司: 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 代理人: 温青玲
地址: 518000 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型适用于半导体集成电路设计领域,提供了一种压控环形振荡器、锁相环和通信设备。压控环形振荡器包括奇数个级联的反相器延迟单元、第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和电阻分压器;第一PMOS晶体管的源极接电源电压,第一PMOS晶体管的门极接输入控制电压,第一PMOS晶体管的漏极接第一NMOS晶体管的漏极,第一NMOS晶体管的源极接地,第一NMOS晶体管的门极接电阻分压器;每个反相器延迟单元均包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,第二PMOS晶体管的源极连接到第一PMOS晶体管的漏极。本实用新型大大提高了压控环形振荡器的电源抑制比。
搜索关键词: 压控环形振荡器 漏极 本实用新型 电阻分压器 延迟单元 反相器 锁相环 门极 通信设备 半导体集成电路 输入控制电压 电源抑制比 电源电压 源极接地 源极连接 级联 源极
【主权项】:
1.一种压控环形振荡器,其特征在于,包括奇数个级联的反相器延迟单元、第一PMOS晶体管MP1、第一NMOS晶体管MN1和电阻分压器;第一PMOS晶体管MP1的源极接电源电压,第一PMOS晶体管MP1的门极接输入控制电压,第一PMOS晶体管MP1的漏极接第一NMOS晶体管MN1的漏极,第一NMOS晶体管MN1的源极接地,第一NMOS晶体管MN1的门极接电阻分压器;每个反相器延迟单元均包括第二PMOS晶体管MP2和第二NMOS晶体管MN2,第二PMOS晶体管MP2的漏极与第二NMOS晶体管MN2的漏极连接,第二PMOS晶体管MP2的门极与第二NMOS晶体管MN2的门极连接,第二PMOS晶体管MP2的源极连接到第一PMOS晶体管MP1的漏极,第二NMOS晶体管MN2的源极接地。
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