[实用新型]具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置有效
| 申请号： | 201821907817.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN209816272U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的排出气体，其特征在于，包括：自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行分析并输出发射光谱数据。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔室 等离子体发射光谱仪 排出气体 排气管道 工艺气体 排出 半导体制造装置 等离子体产生 发射光谱数据 实时监控功能 本实用新型 发射光谱仪 接口连接 送气管道 干式泵 工艺腔 抽吸 晶片 光谱 送入 分析 室内 输出 监控 加工 | ||
【主权项】：
1.一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后产生的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的所述排出气体，其特征在于，包括：/n自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及/n发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行分析并输出发射光谱数据。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
