[实用新型]一种用于小间距扩散成结表征的测试结构

摘要

本专利公开了一种用于小间距扩散成结表征的测试结构，所述结构包括半绝缘InP衬底、N型InP缓冲层、InGaAs吸收层、N型InP帽层、光敏区、P电极、N电极，所述光敏区包括2个不同间距的3ⅹ2扩散窗口区阵列。本专利的优点在于：1.通过制备不同间距的扩散区矩阵测试结构进行测试，可以确定扩散成结的深度和横向扩散宽度、电学串音和光学串音；2.通过分析和对比测试结果，可以为大规模小像元平面型探测器的制备提供合适的扩散间距。

主权项

1.一种用于小间距扩散成结表征的测试结构，包括半绝缘InP衬底(1)、N型InP缓冲层(2)、InGaAs吸收层(3)、N型InP帽层(4)、光敏区(5)、P电极(6)、N电极(7)，其特征在于：所述光敏区(5)包括2组3ⅹ2扩散窗口区阵列，扩散窗口的形状为矩形，其中第1组阵列的扩散窗口尺寸为200μmⅹ5um，扩散窗口之间的距离为5μm；第2组阵列的扩散窗口尺寸为200μmⅹ7um，扩散窗口之间的距离为3μm。