[实用新型]一种高亮度的紫外发光二极管外延结构

摘要

本实用新型公开了一种高亮度的紫外发光二极管外延结构，包括在衬底上依次生长的n型半导体层、有源层、p型半导体层；其中：所述有源层为量子垒层和量子阱层交替堆叠形成的周期性多层量子阱结构，所述量子垒层为B_x1Al_y1Ga_1‑x1‑y1N，所述量子阱层为B_x2Al_y2Ga_1‑x2‑y2N。本实用新型的优点在于：可以通过调整量子垒和量子阱层中的B和Al组分的含量，使量子垒层和量子阱层之间的晶格尺寸更匹配，从而减少有源层中由晶格失配造成的位错，提高有源层的晶体质量；且量子垒层和量子阱层晶格失配的降低，会大大降低量子阱层中的压电极化与能带弯曲，从而提高器件的发光效率。

主权项

1.一种高亮度的紫外发光二极管外延结构，包括在衬底上依次生长的n型半导体层、有源层、p型半导体层；其特征在于：所述有源层为量子垒层和量子阱层交替堆叠形成的周期性多层量子阱结构，所述量子垒层为B_x1Al_y1Ga_1‑x1‑y1N，所述量子阱层为B_x2Al_y2Ga_1‑x2‑y2N，所述量子垒层中的y1大于量子阱层中的y2，即0<y2<y1<1，且量子垒层中的x1小于量子阱层中的x2，即0<x1<x2<0.1，所述量子垒层的厚度为3～30nm，量子阱层的厚度为1～6nm，所述有源层中量子垒层和量子阱层的周期数为n，2<n<15。