[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201821921901.4 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209045598U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底上的n型氮化镓基外延层、氮化镓基有源层、p型氮化镓基外延层；其中：所述氮化镓基有源层和p型氮化镓基外延层之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层，所述含硼氮化镓基电子阻挡层厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1‑a‑bN，其中0.03≦a≦0.3,0≦b≦0.97，所述衬底为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。本实用新型的优点在于：采用了含硼氮化镓基电子阻挡层，含硼氮化镓基电子阻挡层相较于传统的铝镓氮电子阻挡层,含硼氮化镓基电子阻挡层的导带底和价带顶位置皆较高,对外延结构中氮化镓基有源层的电子局限和电洞注入都有助益。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓基 电子阻挡层 外延层 源层 氮化镓基发光二极管 本实用新型 外延结构 衬底 铝镓氮电子阻挡层 蓝宝石基板 碳化硅基板 依次设置 传统的 顶位置 硅基板 导带 电洞 价带 组份 局限 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底（10）上的n型氮化镓基外延层（20）、氮化镓基有源层（30）、p型氮化镓基外延层（50）；其特征在于：所述氮化镓基有源层（30）和p型氮化镓基外延层（50）之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层（40），所述含硼氮化镓基电子阻挡层（40）厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1‑a‑bN，其中0.03≦a≦0.3, 0≦b≦0.97，所述衬底（10）为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821921901.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
