[实用新型]一种通过相关磁场检测的电流传感器系统有效
申请号: | 201821926486.1 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN209264807U | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 黄海滨;杨超;马辉 | 申请(专利权)人: | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R15/20 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 张宁;杨辰 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及电流传感器技术领域,更具体的涉及一种通过相关磁场检测的电流传感器系统,其能够提高信噪比及抗干扰能力的同时减小芯片面积,降低成本,其包括带U形槽的导体,其特征在于,所述导体上方设置有带有三个磁传感器的硅片,第一磁传感器位于所述导体上的U形槽前端开口垂直映射到上层的位置,第二磁传感器和第三磁传感器位于所述导体上的U形槽后端两侧垂直映射到上层的位置。 | ||
搜索关键词: | 导体 磁传感器 电流传感器系统 磁场检测 映射 垂直 上层 本实用新型 电流传感器 抗干扰能力 前端开口 硅片 减小 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种通过相关磁场检测的电流传感器系统,其包括带U形槽的导体,其特征在于,所述导体上方设置有带有三个磁传感器的硅片,第一磁传感器位于所述导体上的U形槽前端开口垂直映射到上层的位置,第二磁传感器和第三磁传感器位于所述导体上的U形槽后端两侧垂直映射到上层的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡思泰迪半导体有限公司,未经无锡思泰迪半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821926486.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于检测电路电压的装置
- 下一篇:一种两路三相电压采集器