[实用新型]一种N型双面太阳能电池有效
| 申请号： | 201821947099.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209708985U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 赫汉;葛祖荣 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 任立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅层，N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层，p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜，保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜，第一钝化减反膜的正面设置有正电极；N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层，N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜，第二钝化减反膜的背面设置有负电极本实用新型电池结构紧凑，制作工艺简单，成本低廉，有效提高了电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 镀膜 本实用新型 背面设置 晶体硅层 正面设置 保护膜 背场层 双面太阳能电池 电池结构 电池效率 制作工艺 负电极 正电极 重掺杂 紧凑 背面 | ||
【主权项】：
1.一种N型双面太阳能电池，其特征在于：包括N型晶体硅层（1），所述N型晶体硅层（1）的正面设置一层p+型晶体硅层（2），所述p+型晶体硅层（2）的正面镀膜形成一层保护膜（3），所述保护膜（3）的正面镀膜形成第一钝化减反膜（4），所述第一钝化减反膜（4）的正面设置有正电极（5）；/n所述N型晶体硅层（1）的背面设置重掺杂的N+背场层（6），所述N+背场层（6）的背面镀膜形成第二钝化减反膜（7），所述第二钝化减反膜（7）的背面设置有负电极（8）。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江昱辉阳光能源江苏有限公司，未经浙江昱辉阳光能源江苏有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821947099.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低开关损耗的VDMOSFET
- 下一篇：贯孔双面叠瓦太阳能电池组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
