[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201821952509.6 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209447804U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 乔彦聪;程海英;王敬;宋东波 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体器件技术领域，提供了一种半导体结构，该结构包括：衬底；缓冲层，位于衬底表面；沟道层，材料为GaN晶体或InGaN晶体；阻挡层，材料为AlN晶体；厚势垒层，材料为InmAlnGa(1‑m‑n)N晶体，厚度不低于10nm，在厚势垒层形成有栅电极窗口，其底部为沟道层或厚度不大于3nm的厚势垒层；薄势垒层，材料为低Al组分的InxAlyGa(1‑x‑y)N晶体，位于栅电极窗口内；栅电极，位于栅电极窗口内，侧壁和底部与薄势垒层接触。低Al组分薄势垒层外延生长时可以修复槽型栅侧壁和底部的刻蚀损伤层，减小栅介质的界面态，增强栅极可靠性，改善工艺窗口及器件成品率，有利于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 薄势垒层 势垒层 半导体结构 沟道层 半导体器件技术 本实用新型 规模化生产 器件成品率 栅极可靠性 衬底表面 工艺窗口 刻蚀损伤 外延生长 缓冲层 界面态 修复槽 栅侧壁 栅介质 阻挡层 侧壁 衬底 减小 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构从下至上依次包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底表面上；沟道层，所述沟道层材料为GaN晶体或InGaN晶体；阻挡层，所述阻挡层材料为AlN晶体；厚势垒层，所述厚势垒层材料为InmAlnGa(1‑m‑n)N晶体，且Al组分的摩尔含量0.80≥n≥0.15，In组分的摩尔含量0.45≥m≥0，所述厚势垒层厚度不低于10nm，在所述厚势垒层形成有栅电极窗口，所述栅电极窗口的底部为所述沟道层或厚度不大于3nm的厚势垒层；薄势垒层，所述薄势垒层为低Al组分的InxAlyGa(1‑x‑y)N晶体，厚度约为0.5～5nm，Al组分的摩尔含量0.15≥y≥0.01，In组分的摩尔含量0.3≥x≥0，位于所述栅电极窗口内，覆盖栅电极窗口的侧壁及底部；栅电极，所述栅电极位于栅电极窗口内，侧壁和底部与薄势垒层接触。
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