[实用新型]一种基于双面抛光衬底的空间三结太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种基于双面抛光衬底的空间三结太阳能电池，包括GulnGaSe子电池、GaAs衬底、GalnAs子电池以及GalnP子电池，所述GaAs衬底为双面抛光的n型单晶片结构，所述GaAs衬底的下表面设置有GaAs缓冲层I，所述GulnGaSe子电池沉积于GaAs缓冲层I的下表面位置。利用n型GaAs双面抛光衬底，在GaAs上表面采用MOCVD方法沉积带隙组合为1.9eV/1.42eV的GaInP子电池和GaAs子电池，在其下表面采用磁控溅射方法溅射带隙宽度1.1eV的CuInGaSe子电池，最终得到带隙组合1.9eV/1.42eV/1.1eV的空间三结太阳能电池，达到了太阳光谱下更佳的带隙组合，使得太阳光谱更有效的分割利用，提高电池对太阳光谱的利用率，从而显著提高了电池的光电转化效率。

主权项

1.一种基于双面抛光衬底的空间三结太阳能电池，包括GulnGaSe子电池(1)、GaAs衬底(3)、GalnAs子电池(6)以及GalnP子电池(8)，其特征在于，所述GaAs衬底(3)为双面抛光的n型单晶片结构，所述GaAs衬底(3)的下表面设置有GaAs缓冲层I(2)，所述GulnGaSe子电池(1)沉积于GaAs缓冲层I(2)的下表面位置，所述GaAs衬底(3)的上表面从下至上依次沉积有GalnAs子电池(6)和GalnP子电池(8)，所述GaAs衬底(3)与GalnAs子电池(6)之间通过GaAs缓冲层II(4)和GaAs隧穿结(5)连接，所述GaAs缓冲层II(4)位于GaAs衬底(3)和GaAs隧穿结(5)之间，所述GalnAs子电池(6)和GalnP子电池(8)之间是通过GaInP/AlGaAs隧穿结(7)进行连接，所述GalnP子电池(8)的上表面沉积有厚度为200‑800nm的n型GaAs帽层(9)。