[实用新型]一种声表面波谐振结构滤波器有效
| 申请号： | 201821960044.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209299226U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 肖功亚;许志斌;黄亮;茹伟;陈培杕;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/10 | 分类号： | H03H3/10;H03H9/64;H03H9/25 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 伍华荣 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种声表面波谐振结构滤波器，在钽酸锂晶体或铌酸锂晶体的压电晶片表面进行隔离还原处理，在还原区上形成谐振器单元电极。利用还原的压电晶片表面消除压电晶体热释电效应对谐振器单元周期电极线条的破坏，同时，防止了晶片全表面还原处理造成的谐振器单元间电隔离的减弱。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器单元 声表面波谐振 结构滤波器 还原处理 压电晶片 本实用新型 热释电效应 钽酸锂晶体 铌酸锂晶体 压电晶体 周期电极 电极 电隔离 还原区 全表面 晶片 还原 线条 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波谐振结构滤波器，包括：压电晶片、设置在压电晶片表面的多个谐振器单元和电连接金属电极，其特征是：所述压电晶片是采用提拉法生长的铌酸锂、钽酸锂单晶加工制作的晶圆；所述压电晶片表面上制作了至少一个还原表面区；至少有一个谐振器单元制作在还原表面区上；非直接电连接的谐振器单元所在的还原表面区是不相连接的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电科技德清华莹电子有限公司，未经中电科技德清华莹电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821960044.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字预失真电路及包括该数字预失真电路的信号处理装置
- 下一篇：一种陷波器
