[实用新型]一种功率半导体器件沟槽型截止环结构有效
| 申请号： | 201821972671.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209016061U | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;徐吉程;范玮 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体器件沟槽型截止环结构。该结构通过将截止区内的截止环设置成双层多晶硅的结构，在第一多晶硅内部形成第二多晶层的沟槽型结构，有效增加截止环截止效率，避免各技术单独使用时的缺点，提高结终端的耐压效率和降低终端使用尺寸及反向漏电流。同时不会大幅增加设计难度和制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 截止环 功率半导体器件 沟槽型 截止 本实用新型 反向漏电流 沟槽型结构 双层多晶硅 单独使用 终端使用 多晶层 多晶硅 结终端 耐压 制作 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件沟槽型截止环结构，其特征在于，所述沟槽型截止环设置在功率半导体器件的截止区(7)，所述沟槽型截止环包括环状的第二沟槽(13)，第二沟槽(13)的内壁表面设置有第一栅氧化层(3)，第一栅氧化层(3)内填充有第一多晶硅(4)，第一多晶硅(4)内的沟槽内壁表面设置有第二栅氧化层(5)，第二栅氧化层(5)内填充有第二多晶硅(8)。
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