[实用新型]集成电路电容器阵列结构及半导体存储器有效
| 申请号： | 201821975221.0 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209087830U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种集成电路电容器阵列结构及半导体存储器，集成电路电容器阵列结构包括：衬底；下电极层，突出的位于衬底上，由下电极层内形成有电容孔；电容介质层，共形地覆盖下电极层的表面；上电极层，共形地覆盖电容介质层的表面；电容极板，区块状位于衬底上并形成于上电极层上，电容极板包括由下至上依次叠置的金属填充层及共形地覆盖金属填充层的导电覆盖层，导电覆盖层构成为上电极结构的顶表面层及侧表面层，以供接合至少一第一互连结构于顶表面层上。本实用新型提供的集成电路电容器阵列结构可以有效避免电容器漏电；同时，在形成电容极板时可仅沉积金属填充层/导电覆盖层作为电容极板即可保证低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路电容器 电容极板 阵列结构 导电覆盖层 下电极层 衬底 共形 半导体存储器 本实用新型 电容介质层 金属填充层 顶表面层 电极层 覆盖 电容器 漏电 沉积金属 电极结构 互连结构 电容 接合 侧表面 低电阻 区块状 填充层 叠置 保证 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路电容器阵列结构，其特征在于，包括：衬底；下电极层，突出的位于所述衬底上，由所述下电极层内形成有电容孔；电容介质层，共形地覆盖所述下电极层的表面；上电极层，共形地覆盖所述电容介质层的表面；电容极板，区块状位于所述衬底上并形成于所述上电极层上，所述电容极板包括由下至上依次叠置的金属填充层及共形地覆盖所述金属填充层的导电覆盖层，所述导电覆盖层构成为上电极结构的顶表面层及侧表面层，以供接合至少一第一互连结构于所述顶表面层上。
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