[实用新型]一种气相沉积装置有效
申请号: | 201821978752.5 | 申请日: | 2018-11-17 |
公开(公告)号: | CN209243168U | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 张向平;方晓华 | 申请(专利权)人: | 金华职业技术学院 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/46;G01N1/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321017 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及薄膜制备领域,一种气相沉积装置,包括沉积腔、进气口I、导气管、出气口I、出气口II、导流罩、样品腔、传送杆、样品、样品座、样品台、操纵杆、进气口II、门阀I、进样腔、真空泵I、门阀II、分析腔、真空泵II和真空泵III,在真空环境中进行气相沉积,采用特殊的导流罩,能够减少样品制备过程中的真空污染,低真空环境中进行的样品制备过程和高真空环境中的样品分析过程均能够在装置中完成,并能够更加精确地调节样品温度,能够调节样品与样品座之间的接触压力及样品座与加热器之间的接触压力,样品温度的调节更加精确,获得的薄膜样品质量高,从样品制备到分析的过程步骤简单、操作快捷。 | ||
搜索关键词: | 样品座 真空泵 进气口 样品制备过程 沉积装置 接触压力 出气口 导流罩 门阀 加热器 本实用新型 低真空环境 高真空环境 操纵杆 薄膜样品 薄膜制备 过程步骤 气相沉积 样品分析 样品制备 真空环境 沉积腔 传送杆 导气管 分析腔 进样腔 样品腔 样品台 污染 分析 | ||
【主权项】:
1.一种气相沉积装置,包括沉积腔(1)、进气口I(2)、导气管(3)、出气口I(4)、出气口II(5)、导流罩(6)、样品腔(7)、传送杆(8)、样品(9)、样品座(10)、样品台(11)、操纵杆(12)、进气口II(13)、门阀I(14)、进样腔(15)、真空泵I(16)、门阀II(17)、分析腔(18)、真空泵II(19)和真空泵III(20),xyz为三维空间坐标系,其特征是:沉积腔(1)具有进气口I(2)、出气口I(4)和出气口II(5),沉积腔(1)内自上而下依次安装有导气管(3)和导流罩(6),导气管(3)的上半部分连接沉积腔(1)内壁、下半部分是内径为30毫米、长度为80毫米的不锈钢管,所述不锈钢管内壁具有呈右手螺旋形排列的螺线形导气片,所述导气片的宽度为五毫米,导流罩(6)为漏斗形,导流罩(6)由聚四氟乙烯材料制成,导流罩(6)的上半部分通过驱动器连接沉积腔(1)内壁,所述驱动器能够通过无线信号来控制,以使得导流罩(6)沿y方向上下移动,导流罩(6)的下半部分是内径为30毫米、长度为50毫米的聚四氟乙烯管,样品腔(7)通过所述聚四氟乙烯管与沉积腔(1)连通,所述聚四氟乙烯管内壁具有呈左手螺旋形排列的螺线形导气片,所述导气片的宽度为五毫米;样品腔(7)位于沉积腔(1)下方,样品腔(7)腔体上具有传送杆(8)、操纵杆(12)和进气口II(13),真空泵III(20)连接于样品腔(7),样品腔(7)内安装有样品台(11),样品座(10)能够安装至样品台(11)上,样品(9)位于样品座(10)上;进样腔(15)通过门阀I(14)连接于样品腔(7),传送杆(8)一端位于样品腔(7)外,传送杆(8)能够沿z方向在样品腔(7)与进样腔(15)之间转移样品座(10);操纵杆(12)下端位于样品腔(7)外,操纵杆(12)上端位于样品腔(7)内,操纵杆(12)能够沿y方向上下移动,传送杆(8)和操纵杆(12)均与样品腔(7)的腔壁具有气密性;分析腔(18)通过门阀II(17)连接于进样腔(15),进样腔(15)具有样品座转移机构,通过所述样品座转移机构能够实现进样腔(15)与分析腔(18)之间的样品座(10)转移,进样腔(15)连接有真空泵I(16),真空泵II(19)连接分析腔(18);样品座(10)包括样品座基片(10‑1)、金属块(10‑2)、两个压片(10‑3)、钼弹簧(10‑4)、螺母(10‑5)和螺杆(10‑6),样品座基片(10‑1)为中心具有圆形缺口的长方体金属片,所述圆形缺口直径为16毫米,金属块(10‑2)为上圆柱体和下圆柱体同轴排列的一体成型结构,所述上圆柱体的底面直径为28毫米且具有四个限位孔,所述下圆柱体的底面直径为15毫米,下圆柱体嵌套于样品座基片(10‑1)的圆形缺口内,样品座基片(10‑1)上具有四根沿y方向的螺杆(10‑6),所述螺杆(10‑6)通过金属块(10‑2)上的限位孔将金属块(10‑2)的移动限制在y方向,样品(9)为长方形薄片且位于金属块(10‑2)上面,样品(9)的两端上面分别具有一个压片(10‑3),压片(10‑3)上点焊有热偶,通过所述热偶能够获得样品(9)的温度信息,压片(10‑3)为具有两个小孔的长方形金属片,每个所述小孔嵌套在一根螺杆(10‑6)上,样品(9)被限位在压片(10‑3)与金属块(10‑2)之间,通过螺杆(10‑6)上的螺母(10‑5)及钼弹簧(10‑4)对压片(10‑3)施加压力,以压紧样品(9);样品台(11)包括样品台基底(11‑1)、陶瓷加热器(11‑2)、升降弹簧(11‑3)和升降块(11‑4),样品台(11)的中心具有沿y方向的通孔,所述通孔直径为5毫米,陶瓷加热器(11‑2)、升降弹簧(11‑3)和升降块(11‑4)自上而下依次位于所述通孔内,操纵杆(12)的上端与升降块(11‑4)下面接触,通过操纵杆(12)能够调节升降块(11‑4)的位置,继而通过升降弹簧(11‑3)调节陶瓷加热器(11‑2)沿y方向的位置,能够使陶瓷加热器(11‑2)的上端对金属块(10‑2)的下面施加压力,也能够使陶瓷加热器(11‑2)与金属块(10‑2)之间分离,陶瓷加热器(11‑2)的加热功率能够调节,加热功率最大值为30瓦。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华职业技术学院,未经金华职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821978752.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于片材沉积涂层的夹具及沉积装置
- 下一篇:MOCVD装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的