[实用新型]IBC电池结构有效
| 申请号： | 201821980205.0 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209312778U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴翔;郭永刚;屈小勇;马继奎;席珍珍 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种IBC电池结构，包括：基体、设于所述基体背面的隧穿氧化层、第一掺杂层与第二掺杂层，所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层位于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上设有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上设有第二背面钝化层。本实用新型涉及的IBC电池结构可具有更高的开路电压，进而可有利于实现较高的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 隧穿氧化层 电池结构 背面钝化层 本实用新型 开路电压 转换效率 基体相 通槽 背面 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种IBC电池结构，其特征在于，包括：基体、设于所述基体背面的隧穿氧化层、第一掺杂层与第二掺杂层，所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层位于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上设有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上设有第二背面钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司，未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821980205.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种外侧加强筋结构的接收管
- 下一篇：一种适用于叠瓦式组件的层压机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
