[实用新型]一种闪存芯片有效
| 申请号： | 201821984476.3 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN209103826U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王绍迪 | 申请（专利权）人： | 北京知存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/26 | 分类号： | G11C29/26;G11C29/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种闪存芯片，通过设置用于校准工作阵列的至少一个参考阵列，并且参考阵列中的闪存单元的数量大于或等于该闪存单元的可调权重等级N，以此实现工作阵列中闪存单元权重的离线更新校准，补偿了漏电现象对闪存单元权重的影响，能够提高存储数据的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存单元 权重 参考阵列 工作阵列 闪存芯片 校准 本实用新型 存储数据 漏电现象 可调 离线 更新 | ||
【主权项】：
1.一种闪存芯片，其特征在于，包括：工作阵列以及用于校准所述工作阵列的至少一个参考阵列；所述工作阵列和所述参考阵列均由多个可调权重等级为N的闪存单元组成，所述闪存单元具有N级可调权重；所述参考阵列中闪存单元数量大于或等于所述可调权重等级N；所述参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与N级可调权重一一对应。
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