[实用新型]具有局部加热功能的炉管有效
| 申请号： | 201821987961.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN208923050U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王厚有;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有局部加热功能的炉管，适用于晶圆的炉管工艺，所述炉管在反应管的一端设置有晶舟门平台，设置在所述晶舟门平台上的晶舟包括平行于所述反应管的若干晶舟柱，在每个所述晶舟柱外侧设置有加热件，每个所述加热件紧靠于对应的晶舟柱。本申请通过设置若干晶舟柱，在每根晶舟柱上配备一个加热件，补偿晶圆的局部温度，以对晶圆上靠近晶舟柱的沉积膜偏薄处进行加热，提升靠近晶舟柱附近的反应气体的沉积速率，从而提升膜厚的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶舟 炉管 加热件 晶圆 局部加热 反应管 本实用新型 反应气体 外侧设置 一端设置 沉积膜 均匀性 沉积 紧靠 膜厚 加热 平行 配备 申请 | ||
【主权项】：
1.一种具有局部加热功能的炉管，其特征在于，包括：反应管，所述反应管的一端设置有晶舟门平台；设置在所述晶舟门平台上的晶舟，所述晶舟包括平行于所述反应管的若干晶舟柱；以及设置于每个所述晶舟柱的朝向晶舟外侧表面的加热件，每个所述加热件紧靠于对应的晶舟柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821987961.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
