[实用新型]具有T型栅极的III-V族半导体装置有效
| 申请号： | 201821988008.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209199936U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹏;大藤彻;谢明达 | 申请（专利权）人： | 捷苙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中国台湾苗粟*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有T型栅极的III‑V族半导体装置，其特征在于，衬底层；缓冲层，形成于衬底层上；主动层，形成于缓冲层上，主动层包括，源极区，形成于主动层的一侧边上；漏极区，形成于相对源极区的另一侧边；栅极区，形成于源极区及漏极区之间，并由埋入主动层的栅极足部及配置在主动层上的栅极头部；其中，栅极头部大于栅极足部，且栅极足部的宽度等于或小于100nm。 | ||
| 搜索关键词： | 主动层 栅极足部 源极区 衬底层 缓冲层 漏极区 半导体装置 栅极区 埋入 配置 | ||
【主权项】：
1.一种具有T型栅极的III‑V族半导体装置，其特征在于，包括:衬底层；缓冲层，设置于所述衬底层上；主动层，设置于所述缓冲层上，且所述主动层包括，源极区，设置于所述主动层的一侧边上；漏极区，设置于相对所述源极区的另一侧边；栅极区，设置于所述源极区及所述漏极区之间，并由埋入所述主动层的栅极足部及配置在所述主动层上的栅极头部；其中，所述栅极足部的剖面宽度等于或小于100nm。
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