[实用新型]腔体清洁装置有效
| 申请号： | 201821989353.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209292474U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨事成;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体体壁上施加电压，以吸附用于清洁的带电离子，使带电离子到达所述半导体工艺腔体内各个位置，特别是气态等离子体正常情况难以到达的位置，从而提升清洁的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体工艺腔 腔体 电场施加部件 带电离子 清洁装置 等离子体 等离子体生成 体内 清洁 气态等离子体 本实用新型 施加电压 电场 体内部 内壁 体壁 吸附 种腔 流动 吸引 | ||
【主权项】：
1.一种腔体清洁装置，用于对一半导体工艺腔体内部进行清洁，其特征在于，所述腔体清洁装置包括等离子体生成部件和腔体电场施加部件；其中，所述等离子体生成部件产生的等离子体在所述半导体工艺腔体内流动，所述腔体电场施加部件用于在所述半导体工艺腔体内产生一电场，以吸引所述等离子体中的带电离子到达所述半导体工艺腔体的内壁。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
