[实用新型]一种基于SOI结构的薄膜声波滤波器有效
| 申请号： | 201821996054.8 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209030172U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 欧文;申洪霞 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17;H03H9/56 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，包括：谐振器结构；共振吸收结构，所述共振吸收结构设置在所述谐振器结构下方；SOI结构，所述SOI结构设置在所述共振吸收结构下方；以及空气隙，位于所述谐振器结构下方的所述SOI结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器结构 共振吸收 薄膜体声波谐振器 本实用新型 声波滤波器 结构设置 空气隙 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，包括：谐振器结构；共振吸收结构，所述共振吸收结构设置在所述谐振器结构下方；SOI结构，所述SOI结构设置在所述共振吸收结构下方；以及空气隙，位于所述谐振器结构下方的所述SOI结构中。
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