[实用新型]一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路

摘要

一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路，包括第一、第二NMOS管，第一、第二、第三、第四PMOS管；第一NMOS管的栅极接第一输入电压，漏极通过电阻、电感接第二电源电压，通过第一电容接第一PMOS管的栅极和漏极，通过第二电容接第三PMOS管的栅极和漏极，源极接电流源；第二NMOS管的栅极接第二输入电压，漏极接第四PMOS管的漏极及激光二极管VCSEL的阳极，源极接电流源；第一PMOS管的漏极接第三PMOS管的源极，源极接第一电源电压，栅极接第二PMOS管的栅极，第二PMOS管的漏极接第四PMOS管的源极，源极接第一电源电压；第三PMOS管的漏极接电流源，栅极接第四PMOS管的栅极。本实用新型实现高电源电压与低电压核心MOS管设计的结合，避免高压MOS管的使用，有效保障高带宽指标。

主权项

1.一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路，其特征在于：包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2，第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4，第一电容C1、第二电容C2，电阻R1，电感L和激光二极管VCSEL；所述第一NMOS管NM1的栅极接第一输入电压Vinp，第一NMOS管NM1的漏极一方面通过电阻R1、电感L与第二电源电压VDD2相连，另一方面通过第一电容C1分别与第一PMOS管PM1的栅极和漏极相连接，而且还通过第二电容C2分别与第三PMOS管PM3的栅极和漏极相连接，第一NMOS管NM1的源极与电流源Imod相连接；所述第二NMOS管NM2的栅极接第二输入电压Vinn，第二NMOS管NM2的漏极与第四PMOS管PM4的漏极相连接，第二NMOS管NM2的源极与电流源Imod相连；所述第一PMOS管PM1的漏极与第三PMOS管PM3的源极相连接，第一PMOS管PM1的源极接第一电源电压VDD1；所述第二PMOS管PM2的栅极与第一PMOS管PM1的栅极相连接，第二PMOS管PM2的漏极与第四PMOS管PM4的源极相连接，源极接第一电源电压VDD1；所述第三PMOS管PM3的漏极与电流源Ibias相连接，第三PMOS管PM3的栅极与第四PMOS管PM4的栅极相连接；所述激光二极管VCSEL的阳极与第四PMOS管PM4的漏极及第二NMOS管NM2的漏极连接，激光二极管VCSEL的阴极接地。