[实用新型]一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构有效
| 申请号： | 201822023721.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN209199937U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孔梓玮;蒋兴莉;王思亮;胡强 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，包括芯片版图底版，芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道，芯片版图底版的上表面开设有多个第一圈栅极槽，每个第一圈栅极槽内部开设有第二圈栅极槽，每个第二圈栅极槽内部开设有第三圈栅极槽，相互套接的第一圈栅极槽、第二圈栅极槽和第三圈栅极槽形成一个周期性的同心椭圆结构。本实用新型可以有效增加器件的电子沟道密度，同时增加器件的浮空区域，优化载流子分布，进一步降低期间的导通压降，并通过调整第三圈栅极槽的所接电极，提高器件开关速度，降低开关损耗，增大器件可使用频率范围。同时可以通过在第三圈栅极槽上方开设发射极孔或者浮空，调整器件的电容比例。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极槽 芯片版图 电容 半导体器件 底版 版图结构 调整功率 上表面 浮空 载流子 半导体制造领域 同心椭圆结构 本实用新型 底板 导通压降 电子沟道 调整器件 开关损耗 器件开关 使用频率 发射极 接电极 淀积 套接 跑道 申请 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：包括芯片版图底版（1），所述芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道（2），所述芯片版图底版（1）的上表面开设有多个第一圈栅极槽（3），每个所述第一圈栅极槽（3）内部开设有第二圈栅极槽（4），每个所述第二圈栅极槽（4）内部开设有第三圈栅极槽（5），相互套接的第一圈栅极槽（3）、第二圈栅极槽（4）和第三圈栅极槽（5）形成一个周期性的同心椭圆结构。
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