[实用新型]一种实现功率半导体器件元胞区绝对浮空的沟槽隔断结构有效
| 申请号： | 201822023737.1 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN209199938U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王艳;蒋兴莉;王思亮;胡强 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种实现功率半导体器件元胞区绝对浮空的沟槽隔断结构，其包括多个并排分布的元胞单元，每个元胞单元包括栅极沟槽，所述栅极沟槽的两端连接有隔断沟槽，两个隔断沟槽之间与栅极沟槽构成封闭的浮空区，所述浮空区内设置有重掺杂的浮空P阱。使浮空区封闭在沟槽之内，实现浮空区的绝对浮空。本申请实现器件浮空区的绝对浮空，避免引起输出曲线振荡，提高器件的可靠性，可以有效节约芯片面积，同时可以有效降低功率半导体器件电路的EMI噪声问题。 | ||
| 搜索关键词： | 浮空 栅极沟槽 功率半导体器件 隔断结构 元胞区 隔断 元胞 半导体器件电路 半导体制造领域 并排分布 降低功率 输出曲线 封闭 重掺杂 振荡 申请 芯片 节约 | ||
【主权项】：
1.一种实现功率半导体器件元胞区绝对浮空的沟槽隔断结构，其特征在于：包括多个并排分布的元胞单元，每个元胞单元包括栅极沟槽，所述栅极沟槽的两端连接有隔断沟槽（7），两个隔断沟槽（7）之间与栅极沟槽构成封闭的浮空区，所述浮空区内设置有重掺杂的浮空P阱（4）。
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