[实用新型]一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片有效
申请号: | 201822024668.6 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN208939000U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 吕家将;吴毅;刘赣华;夏志平;王文超 | 申请(专利权)人: | 九江职业技术学院 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 郑州科硕专利代理事务所(普通合伙) 41157 | 代理人: | 侯立曼 |
地址: | 332005 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片,属于半导体发光器件技术领域,自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层,在p型半导体层上设有电流扩展层,在电流扩展层上设有绝缘隔离层,在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔;在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽,所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层,沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构;实现了p极导电柱或者p极导电块连续性电性连接而形成p电极,n电极与p电极呈叉指电极结构形式;从而在不影响电流扩展性能的前提下,减小了LED有效发光面积的损失,提升了LED亮度。 | ||
搜索关键词: | 通孔 电流扩展层 绝缘隔离层 叉指电极 通槽 阵列式 正装 半导体发光器件 矩形阵列分布 有效发光面积 本实用新型 叉指结构 电性连接 交替布置 扩展性能 影响电流 导电块 导电柱 发光层 衬底 多列 减小 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片,自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层,其特征在于,在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层,在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的绝缘隔离层,在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔,所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层,在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁;在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽,所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层,沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构;在n极通孔内设有n极导电柱,同列n极导电柱电性连接后,每列n极导电柱在一端再进行电性连接而形成n电极,在p极通孔或者p极通槽内设有p极导电柱或者p极导电块,同列p极导电柱或者p极导电块电性连接后,每列p极导电柱或者p极导电块在另一端再进行电性连接而形成p电极。
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