[实用新型]半导体互连结构有效
| 申请号： | 201822028209.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209045544U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导线之间，所述硅通孔的侧壁与所述金属导线相交。本公开的半导体互连结构可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接的半导体互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 互连结构 堆叠结构 半导体 晶圆 金属导线 芯片 布线层 硅通孔 穿透位置 一次掩模 电连接 侧壁 衬底 多层 键合 刻蚀 制程 穿透 相交 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体互连结构，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；硅通孔，穿透所述堆叠结构，在每层所述晶圆或芯片上的穿透位置的中心位于所述金属导线之间，所述硅通孔的侧壁与所述金属导线相交。
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