[实用新型]一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 201822034398.7 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN209045597U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底和氮化镓基的发光二极管外延结构，其中：复合衬底包含衬底和氧化锌纳米棒阵列，而所述发光二极管外延结构为依次生长在氧化锌纳米棒阵列上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。本实用新型的优点在于：一方面，氧化锌与氮化镓具有相同的晶体结构，相近的晶格常数和禁带宽度，晶格常数失配很小（约1.8%），在上述复合衬底上生长氮化镓外延结构可以得到缺陷密度低的高质量外延结构层；另一方面，氧化锌纳米棒可以采用简单的酸腐蚀去除，使衬底从外延结构层上剥离，剥离速度快，且外延结构层上没有氧化锌残留有利于后续工艺的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化锌纳米棒阵列 复合 外延结构层 发光二极管外延结构 生长 本实用新型 发光二极管 氧化锌 剥离 氮化镓外延结构 晶格常数失配 氧化锌纳米棒 氮化镓基 后续工艺 晶格常数 晶体结构 氮化镓 酸腐蚀 禁带 去除 源层 残留 制作 | ||
【主权项】：
1.一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底（10）和氮化镓基的发光二极管外延结构（20），其特征在于：复合衬底（10）包含衬底（101）和氧化锌纳米棒阵列（102），而所述发光二极管外延结构（20）为依次生长在氧化锌纳米棒阵列（102）上的n型半导体层（201）、有源层（202）和p型半导体层（203）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822034398.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
