[实用新型]一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路有效

专利信息
申请号: 201822039694.6 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN209250609U 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 谭国俊;张经纬;耿程飞;叶宗彬 申请(专利权)人: 徐州中矿大传动与自动化有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 杜静静
地址: 221116 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑电路,推挽放大器,栅压切换电路以及栅压检测电路。当发生二类短路时,栅极电压将会发生突变,形成较高的电压尖峰,本实用新型通过对栅极电压进行检测,当栅极电压上升到一定阈值时,将栅极驱动电压切换为较低值,根据栅极电压与短路电流呈正关系特性,其短路电流将会减小,从而减小短路对SiC MOSFET的冲击,提高器件的短路耐受能力。
搜索关键词: 短路电流 栅极电压 短路 本实用新型 抑制电路 减小 栅压 栅极驱动电压 推挽放大器 电压尖峰 关系特性 检测电路 耐受能力 阈值时 突变 电路 检测
【主权项】:
1.一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路,其特征在于,包括:逻辑电路,推挽放大器,栅压切换电路以及栅压检测电路,其中:所述逻辑电路,用于实现开关信号与反馈信号的逻辑组合,控制栅极驱动电压电路的通断;所述推挽放大器,用于向待测器件栅极提供正常开通和关断的驱动电压;所述栅压切换电路,用于在发生二类短路过程中将栅极驱动电压切换至较小值,从而抑制短路电流;所述栅压检测电路,用于检测二类短路故障时的栅极电压尖峰,产生切换栅极驱动电压的逻辑信号。
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