[实用新型]一种NMOS控制电路有效

专利信息
申请号: 201822052012.5 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN209218056U 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 肖展伟 申请(专利权)人: 深圳天邦达科技有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/56
代理公司: 深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375 代理人: 黄昌平
地址: 518106 广东省深圳市光明新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及电子技术领域,公开了一种NMOS控制电路,包括单片机、MOS驱动电阻、结电容泄放电阻,放电MOS管,所述放电MOS管内设有结电容,所述单片机的I/O口连接至所述MOS驱动电阻一端,所述MOS驱动电阻另一端以及所述结电容泄放电阻一端连接至所述放电MOS管的栅极,所述结电容泄放电阻另一端接地,所述结电容泄放电阻的阻值大于所述MOS驱动电阻的阻值。实用新型中的结电容泄放电阻阻值较大,能够减少结电容放电时对电源电路的影响,MOS驱动电阻的阻值较小使得能输出较强的驱动能力驱动放电MOS管,两个电阻灵活可调,更容易以低成本的方式能保证MOS管驱动电路正常运行。
搜索关键词: 结电容 驱动电阻 泄放电阻 放电MOS管 单片机 电子技术领域 本实用新型 电源电路 驱动能力 一端连接 接地 低成本 放电 电阻 可调 驱动 输出 灵活 保证
【主权项】:
1.一种NMOS控制电路,其特征在于,包括单片机、MOS驱动电阻、结电容泄放电阻,放电MOS管,所述放电MOS管内设有结电容,所述单片机的I/O口连接至所述MOS驱动电阻一端,所述MOS驱动电阻另一端以及所述结电容泄放电阻一端连接至所述放电MOS管的栅极,所述结电容泄放电阻另一端接地,所述结电容泄放电阻的阻值大于所述MOS驱动电阻的阻值。
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